Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTD3N60P-2J
MOSFET N-CH 600V 3A DIE
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTD3N60P
IXTD3N60P-2J Hakkında
IXTD3N60P-2J, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET die komponentdir. 600V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 70W güç tüketimi ile tasarlanan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve yüksek voltaj konverterlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürme voltajında 2.9Ω on-resistance değeri ve 9.8nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Die paket formatında sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Yüksek voltaj güç elektronikleri ve sürücü devrelerinin tasarımında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 411 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok