Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTD3N50P-2J
MOSFET N-CH 500V 3A DIE
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTD3N50P
IXTD3N50P-2J Hakkında
IXTD3N50P-2J, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 3A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate sürücü voltajında 2Ω maksimum RDS(On) değerine sahiptir. Die format olarak sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel uygulamalar için uygun koşullar sağlar. 9.3nC gate charge ve 409pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 409 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok