Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTD2N60P-1J
MOSFET N-CH 600V 2A DIE
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTD2N60P
IXTD2N60P-1J Hakkında
IXTD2N60P-1J, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET die komponentdir. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 5.1Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük açık direnç sunar. 56W maksimum güç tüketimi, 7nC gate charge ve 240pF input kapasitesi parametreleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanım için tasarlanmıştır. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konverterler ve anahtarlama regülatörü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok