Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA80N12T2

MOSFET N-CH 120V 80A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA80N12T

IXTA80N12T2 Hakkında

IXTA80N12T2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 17mΩ (40A, 10V koşullarında) maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 325W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate gerilimi ±20V ile kontrol edilir ve 4V eşik gerilimi belirtilmiştir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok