Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA6N50P
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA6N50P
IXTA6N50P Hakkında
IXTA6N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 1.1Ω RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok