Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA6N100D2HV

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA6N100D2

IXTA6N100D2HV Hakkında

IXTA6N100D2HV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1000V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, endüstriyel kontrol sistemlerinde ve yüksek voltaj güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. 2.2Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 300W güç dağılımı kapasitesi ve 95nC gate yükü ile sistem tasarımında esneklik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok