Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA6N100D2

IXTA6N100D2 Hakkında

IXTA6N100D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1000V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kontrol, anahtarlama ve yükseltici devreleri gibi uygulamalarda yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 300W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir. 2.2Ohm @ 3A, 0V RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok