Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA5N50P

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA5N50P

IXTA5N50P Hakkında

IXTA5N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj ve 4.8A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerinde kullanılır. TO-263 paketinde sunulan transistör, endüstriyel kontrol devreleri, inverter uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Giriş kapasitesi 620pF ve gate charge 12.6nC olarak belirtilmiştir. Part status obsolete olmasından dolayı yeni tasarımlarda alternatif bileşen kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok