Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA52P10P
IXTA52P10P Hakkında
IXTA52P10P, Littelfuse tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 52A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 50mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 300W güç dağıtabilme yeteneğine sahip olan IXTA52P10P, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, pil yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2845 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok