Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA4N80P-TRL

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA4N80P

IXTA4N80P-TRL Hakkında

IXTA4N80P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 3.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve yüksek voltaj dönüştürücülerinde kullanılır. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmış olan transistör, ±30V gate-source gerilimi aralığında güvenli şekilde çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok