Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA4N80P
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA4N80P
IXTA4N80P Hakkında
IXTA4N80P, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltaj derecelemesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 3.4Ω on-direnci (Rds On) ile anahtarlama işlemlerinde kullanışlıdır. TO-263 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 100W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok