Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA4N65X2

MOSFET N-CH 650V 4A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA4N65X2

IXTA4N65X2 Hakkında

IXTA4N65X2, Littelfuse tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 4A sürekli drain akımı ve 850mOhm maksimum RDS(on) direncine sahiptir. Maksimum 80W güç saçabilme kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve ±30V gate gerilim sınırları ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 8.3nC gate charge ve 455pF input capacitance değerleri hızlı komutasyon özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-263
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok