Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA4N60P

MOSFET N-CH 600V 4A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA4N60P

IXTA4N60P Hakkında

IXTA4N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. Gate charge karakteristiği 13nC ve düşük on-state direnci (2Ω @ 2A, 10V) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan güvenilir bir komponen. Maksimum 89W güç tüketiminde tasarlanmıştır. ±30V gate-source gerilimi toleransı geniş uygulama esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok