Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N60P

IXTA3N60P Hakkında

IXTA3N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta-yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263 paket yapısı ile yüzey montajına uygun tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 2.9Ω on-direnci sağlayan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, AC adaptörlerde, DC-DC dönüştürücülerde ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi, ısı yönetimi gereksinimleri düşük uygulamalara uygun kılmaktadır. Bileşen halen üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 411 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok