Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N50P

MOSFET N-CH 500V 3.6A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N50P

IXTA3N50P Hakkında

IXTA3N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanıma uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 9.3 nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, SMPS uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 409 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok