Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N50D2-TRL

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N50D2

IXTA3N50D2-TRL Hakkında

IXTA3N50D2-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri, enerji verimliliği gerektiren tasarımlarda düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu göstermektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok