Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N120HV

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N120HV

IXTA3N120HV Hakkında

IXTA3N120HV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama kaynakları, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 4.5Ω maksimum on-state direnci (10V gate voltajında) ve düşük gate şarj gereksinimiyle (42nC) verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş ortam koşullarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok