Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N120-TRR

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N120

IXTA3N120-TRR Hakkında

IXTA3N120-TRR, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 4.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve ağır endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 42nC maksimum gate charge ve 1350pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok