Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N120

IXTA3N120 Hakkında

IXTA3N120, Littelfuse tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistördür. 3A sürekli dren akımı ve 4.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 42nC kapı yükü ve 1350pF giriş kapasitansı özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında, motor kontrol devrelerinde ve yüksek gerilim dönüştürücü sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum kapı gerilimi ve 200W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok