Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N110

IXTA3N110 Hakkında

IXTA3N110, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1100V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç elektronikleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 4Ω maksimum RDS(ON) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 150W maksimum güç yayılımına dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok