Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA3N100P
IXTA3N100P Hakkında
IXTA3N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, TO-263 (D²Pak) paketinde sunulmaktadır. 4.8Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) stabil çalışma sağlar. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok