Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N100D2

IXTA3N100D2HV-TRL Hakkında

IXTA3N100D2HV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Depletion Mode (Enhancement Mode) yapısındaki bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde tercih edilir. 125W güç tüketim kapasitesi, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel uygulamalar, elektrik güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde kullanılabilir. 6Ω maksimum on-direnci, düşük kayıp anahtarlamayı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok