Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N100D2HV

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV Hakkında

IXTA3N100D2HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltajında 3A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok