Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA3N100D2

IXTA3N100D2 Hakkında

IXTA3N100D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 125W maksimum güç tüketim değeri ile orta güç seviyesinde çalışan devrelerde yer alabilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. 5.5Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok