Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA2R4N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P-TRL Hakkında

IXTA2R4N120P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 7.5Ω maksimum on-direnci (Rds On) ve 37nC gate charge değerleri ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. TO-263 (D²Pak) paket tipi ile kompakt PCB tasarımları ve güç yönetimi devrelerine uyumludur. Güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1207 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok