Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P Hakkında
IXTA2R4N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörü olup yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1200V drain-source voltaj, 2.4A sürekli drenaj akımı ve 7.5Ω on-resistance özellikleri ile sunulmaktadır. TO-263 (D²Pak) SMD kasa tipinde tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç kontrol, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve AC/DC konvertör devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajı, 37nC gate charge ve 1207pF input capacitance parametreleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1207 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok