Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA2N80P

MOSFET N-CH 800V 2A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA2N80P

IXTA2N80P Hakkında

IXTA2N80P, Littelfuse tarafından üretilen 800V yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 6Ω RDS(on) değerine sahiptir. 10.6 nC gate charge ve 440 pF input capacitance ile hızlı komütasyon özellikleri vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 70W güç dağılımı yapabilir. Yüksek voltajlı anahtar uygulamaları, güç dönüştürücüler, offline adaptörler ve kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. ±30V gate-source voltajı ve 5.5V threshold voltajı ile güvenli anahtarlama sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok