Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA2N100P-TRL

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA2N100P

IXTA2N100P-TRL Hakkında

IXTA2N100P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltajı ve 2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 7.5Ω maksimum on-resistance değeri (1A, 10V koşullarında) ile verimli güç transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç yönetimi, elektriksel korumalı devre uygulamaları, invertör ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. 24.3nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun özelliktedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 655 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok