Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA2N100P
IXTA2N100P Hakkında
IXTA2N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi, anahtarlama ve kontrol devrelerinde yer alan bir komponenttir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipi ile yüzey montajı için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 10V gate geriliminde 7.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok