Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA2N100

IXTA2N100 Hakkında

IXTA2N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 2A sürekli drenaj akımı, 7Ω maksimum RDS(on) değeri ve 100W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel kontrolcüler, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 18nC gate charge ve 825pF input capacitance değerleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 825 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok