Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA200N055T2-7

MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2-7 Hakkında

IXTA200N055T2-7, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde temin edilir. 4.2mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında ve 109nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 360W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle ağır yük uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6970 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7 (IXTA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok