Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1R6N50D2
IXTA1R6N50D2 Hakkında
IXTA1R6N50D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 500V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, 2.3Ω maksimum on-direnci ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen MOSFET, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yer alır. 100W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok