Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2HV Hakkında
IXTA1R6N100D2HV, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel depletion mode MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.6A sürekli dren akımı kapasitesine ve 100W güç dağıtım özelliğine sahiptir. 10Ohm maksimum RdsOn değeriyle düşük iletim kaybına sahip olan bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 4.5V gate threshold voltajı ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-263HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok