Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2 Hakkında
IXTA1R6N100D2, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.6A sürekli drain akımı ve 10Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 100W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 27nC olup, giriş kapasitansı 645pF'dir. Uygulamalar arasında yüksek gerilim anahtarlama devreler, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve benzer güç elektronik uygulamaları yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok