Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA1R4N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P-TRL Hakkında

IXTA1R4N120P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen 1200V N-kanal MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, sürekli akım kapasitesi 1.4A ve maksimum güç tüketimi 86W ile tasarlanmıştır. 13Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Yüksek voltaj uygulamalarında, endüstriyel sürücü devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. ±30V gate voltaj aralığı ve geniş çalışma sıcaklığı (-55°C ~ 150°C) ile çeşitli ortamlarda çalışabilir. 24.8nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok