Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1R4N120P
IXTA1R4N120P Hakkında
IXTA1R4N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 13Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok