Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA1N80

IXTA1N80 Hakkında

IXTA1N80, Littelfuse tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 750mA sürekli drenaj akımı ve maksimum 11Ω on-state direnci özellikleriyle dikkat çeker. 8.5nC kapı yükü ve 220pF giriş kapasitanslı tasarımı, anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan IXTA1N80, yüksek gerilim anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. ±20V maksimum kapı gerilimi ve 4.5V eşik gerilimi ile kontrol kolaylığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok