Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA1N200P3HV-TRL

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV-TRL Hakkında

IXTA1N200P3HV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 2000V drain-source voltaj kapasitesi ve 1A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtar kontrol ve yüksek voltaj inverter devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu transistör, 40Ohm maksimum drain-source direnci (RDS on) ve 23.5nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler. Endüstriyel ve oto elektrik uygulamalarında tercih edilen bu bileşen artık üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok