Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1N200P3
IXTA1N200P3HV Hakkında
IXTA1N200P3HV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 2000V drain-source voltaj ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, ac/dc dönüştürücüler ve yüksek voltaj güç sistemlerinde drenaj kontrol elemanı olarak çalışır. 40Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma yapabilir. 23.5nC gate charge ile hızlı komütasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok