Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1N170D
IXTA1N170DHV Hakkında
IXTA1N170DHV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1700V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 290W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 16Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3090 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-263HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok