Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1N120P
IXTA1N120P Hakkında
IXTA1N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-263 yüzey montajlı paket ile PCB'ye direk entegrasyon sağlar. 20Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında işlem yapar. Gate charge 17.6nC ve input capacitance 550pF özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, switched-mode power supplies (SMPS) ve yüksek voltaj kontrol devrelerinde yaygın kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok