Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1N100P
IXTA1N100P-TRL Hakkında
IXTA1N100P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1A sürekli dren akımı ve 15Ω maksimum on-direnç (Rds On) karakteristiğine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında uygulanabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, anahtar devrelerinde ve yalıtım sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, 50W maksimum güç disipasyonuna kapaklıdır. 4.5V eşik voltajı ve düşük gate yükü (15.5 nC) ile kontrolü kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok