Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA1N100P

IXTA1N100P Hakkında

IXTA1N100P, Littelfuse tarafından üretilen 1000V derecelendirilmiş N-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. 1A sürekli dren akımı kapasitesi ve 15Ω maksimum gate kapalı direnci ile düşük güç tüketimli devrelerde etkili çalışır. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilen bileşen, -55°C ile 150°C arası sıcaklıklarda stabil performans gösterir. Güç denetimi, motor sürücü devreleri, DC-DC konvertörler ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 50W maksimum güç dağılımı ve 15.5nC gate yükü, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 331 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok