Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA1N100
IXTA1N100 Hakkında
IXTA1N100, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V dren-kaynak gerilimi ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj dönüştürücü uygulamalarında yer alır. 11Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok