Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA18P10T

IXTA18P10T Hakkında

IXTA18P10T, Littelfuse tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 18A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajı paketi ile PCB tasarımında kompakt yerleşim sağlar. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücüler, yük anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. ±15V gate voltajı kapasitesi ve düşük gate charge sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok