Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA180N10T

MOSFET N-CH 100V 180A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA180N10T

IXTA180N10T Hakkında

IXTA180N10T, Littelfuse tarafından üretilen 100V drain-source gerilim ve 180A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.4mΩ maksimum on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen komponent, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, güç dağıtım sistemleri ve ağır akım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 480W maksimum güç tüketimi ve düşük kapı yükü özellikleriyle hızlı anahtarlamaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-263AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok