Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTA10N60P
IXTA10N60P Hakkında
IXTA10N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 740mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Gate charge değeri 32nC olup, hızlı açılıp kapanmayı sağlar. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığında çalışır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 200W güç dağılım kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 740mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok