Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA08N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA08N120P

IXTA08N120P-TRL Hakkında

IXTA08N120P-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 25°C'de maksimum 50W güç tüketebilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Rds(on) değeri 10V kapı geriliminde 25Ohm'dur. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 333 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok