Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA08N100D2HV-TRL

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV-TRL Hakkında

IXTA08N100D2HV-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263HV (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve yüksek gerilim kontrolü gerektiren endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, maksimum 60W güç dağıtabilir. 21Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Supplier Device Package TO-263HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok