Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTA08N100D2-TRL

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2-TRL Hakkında

IXTA08N100D2-TRL, Littelfuse tarafından üretilen 1000V dayanımlı N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 800mA sürekli drenaj akımı ve 21Ohm (400mA, 0V) on-state direnç değerleri ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi, 14.6nC gate charge ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Maksimum 60W güç harcaması kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok